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  • 絕緣柵場效應管分析詳解
    • 發布時間:2022-08-12 19:27:57
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    絕緣柵場效應管分析詳解
    絕緣柵場效應管圖解
    絕緣柵型場效應管是一種利用半導體表面的電場效應,由感應電荷的多少改變導電溝道來控制漏極電流的器件,它的柵極與半導體之間是絕緣的,其電阻大于1000000000Ω。
    增強型:VGS=0時,漏源之間沒有導電溝道,在VDS作用下無iD。耗盡型:VGS=0時,漏源之間有導電溝道,在VDS作用下iD。
    1. 結構和符號(以N溝道增強型為例)
    在一塊濃度較低的P型硅上擴散兩個濃度較高的N型區作為漏極和源極,半導體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個電極作為柵極。
    絕緣柵場效應管
    增強型絕緣柵場效應管結構
    1、柵極G與漏極D、源極S之間相絕緣,它們之間的電阻無限大;
    2、沒有外加電壓時漏極與源極之間不導通;增強型NMOS管是以P型硅片作為基片(又稱襯底),漏極連接的為N半導體,襯底與源極連在一起,故P型襯底與漏極N型半導體會形成二極管,稱為寄生二極管;因此漏極和源極之間的反向電阻很小。
    增強型絕緣柵場效應管工作原理:在柵極與源極之間加上正向電壓后,達到一定值后就會形成導電溝道,改變電壓就改變了導電溝道的寬度和導電能力。
    絕緣柵場效應管
    耗盡型絕緣柵場效應管結構
    1、柵極與漏極、源極絕緣,它們之間的電阻無限大;
    2、漏極與源極之間能夠導通,溝道在制造時就已形成;在柵極與源極之間加上反向向電壓后,改變電壓就改變了導電溝道的寬度和導電能力。
    絕緣柵場效應管
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